ಌ PDFN/TOLL/TO等二极管封装的大直流电压大🅺电机功率半导体芯片元器件MOS场反应管的老化公测公测座公测冲压模具工作服的老化公测插座开关socket
针对性对输出半导体器件装封技能提供 了新的的要求中大型化、特点系統化、封裝或是大电流大小的优缺点承堂定制的生产了PDFN5*6、PDFN3333、TOLL-8*10等封Clip Bonding二极管封装的脱落软件测量座或是说软件测量卡具SOCKET。专门针对各种供应量大、电压大、耐热性高、主动化等亮点把的老化测试测试测试仪座亦或说测试测试仪组合夹具。该的老化测试座进行PEI耐中低温塑胶材质的相关材料注塑加工真空成型,适使用于长的时间中低温高湿生态下受损(htol/hast)且交货短;适于按动式框架,适于于系统全自动化多地量放取MOS场效果管元器件封装,大提升 测式有效率,导致提升 日产尼桑༺能。
下面为适配芯片
封装为PDFN-8L尺寸8*8。是升级代替TO-220/263的20%,也是替代升级SOT-23-5/6的70%。特点是超博、N沟道SGT MOS大电流功率器件。
下图为我司设计对应的老化座/老化夹具
PDFN/TOLL大直流电压大功效损坏座特殊性:
① 采用双头测试探针,寿命高,维修容易,PCB板可重复利用;
② 子护壳使用比较特殊的工程施工塑胶材料,构造高、使用期限长;
③ 采用大电流进口镀镍金pogopin,过流能力强,接触阻抗小、弹性好、寿命长;
④ 金层加厚,触头加厚真空镀膜,玩保持稳定特低玩电阻值、抗钝化层次高;
⑤ 用于PDFN/TOLL/TO/SOT等封装的大功率MOS场效应管器件;
大电流大小大工作电压锈蚀座的材料性:
①socket本体:PEI;
②测试探针用料:铍铜;
③针涂层:镍金;
④作压力:30.0g@pin,PIN越多压力越大;
⑤绝缘阻抗:1,000MΩ 500VDC;
⑥接触阻抗:<100mΩ;
⑦使用温度:-55℃~175℃@3000小时;
⑧机械寿命:15000次;
不仅贵司再有包含以下服务的受损测试英文座
PDFN5*6封裝的n+p双沟AP15G04DF场相应管mos管受损座。
PDFN3333芯片封装N缓冲区VS3618BE场作用管MOS管脆化座。
PDFN3*3封装形式以PDFN5*6芯片封装N沟道MOS场相互作用管脆化冲压模具。
TOLL-8*10封装形式的东芝TK065U65Z场效用管MOS管衰老座。
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此外还支持非标准封装的IC老化测试座一件起订服务,需求量庞大的情况下可采用开模具注塑的形式降低生产成本的同时缩短生产周期。
鸿怡电子在生产PDFN/TOLL/TO等封装的大电流大功率半导体器件MOS场效应管老化测试座测试夹具工装老化插座socket,同时还生产其他种类齐全的芯片封装测试座/老化座/烧录座/测试夹具/BGA/EMMC/EMCP/QFP/QFN/SOP/SOT/DDR/FPC/connector/IMU socket等。