半导体元元器封装工作功率元元器封装之全控型元元器封装

给出鸿怡微电子做光电电子元件功效电子元件各种测试座socket的相关经验来讲，主要分为以下几点：

一).瓦数硫化锌管(GTR,超大型硫化锌管)、双极结型硫化锌管(BJT)

1、输出结晶体管(Giant Transistor--GTR,巨型晶体管)、双极结型晶体管(BipolarJunctio🍨n Tra🍌nsistor--BJT)，这两类三极管在半导体功率器件是等效的，在20世纪80年代，在中、小功率范围内取代了晶闸管，但随着MOSFET、IGBT的发展，逐渐被替代。

2、1种电流值管理的双极双结大输出功率、高反光电探测器力電子元件，兼有自关断力量,产生于上个世纪70年代，其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性，又增大了功率容🐷量，因此，由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，🌠在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。

3、和常见的晶体管一模一样，他有5个极：放出极♏e（Eཧmitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

4、结构的及运行的基本原理

以图例NPN型的晶体管加以分析，当基极通入正功率Ib时，N P结正偏，基区便会涌入更多的电子器件厂技术器件。另外，该基极功率Ib不单使发射成功极功率变高，并且P基区的电子器件厂技术器件在传导的基极-集探针结方问上都有很高的载流子氧浓度梯度方向，💮这电子器件厂技术器件会外扩散走进低夹𒊎杂的N-层。如何加的静电场线，这电子器件厂技术器件便会被静电场线加速度流到集探针。即Ib的功率被变小。

二).门极可关断IGBT(GTO)

1、GTO（Gate-Turn-Off Thyrist𓃲or）是门极可关断双向可控硅的简称为，他是双向可控硅的一名随之出现元元器件封装封装。但能够 实现门极增加负的电脉冲功率使其关断，他是全控型元元器件封装封装。

2、GTO和传统可控硅那样，是PNPN四层半导体设备结构构思，第三方结构也是生成阳极．金属电极和🔯门极。但和传统可控硅各种不同的是，GTO不是种智慧的热效率集成系统配件。虽第三方结构同一个生成♐八个极，但内外收录不低于数十二个甚至于上百个共阳极的小GTO标段，这个GTO标段的金属电极和门极在配件内外电容串联，他是为做到门极调整关断而构思的。

3、准确结构特征及的工作关键技术见“晶闸管”章节。

三).输出场调节作用结晶管(MOSFET)

1、电率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高（最高可达到1MHz），热稳定性优于GꦫTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

2、型式及运行设计原理

终止：漏源极间加正24v电源，♊栅源极间工作电压为零。P基区与N漂移区相互造成的PN结反偏，漏源极相互无电压电流流进。

导电：在栅源极间加正工作的电阻Ugs，栅极是接地🌊的，故此不都会有栅极的电阻流下来。但栅极的正工作的电阻会将其上面P区中的空穴关上门，而将P区中的少子—电商抓住到栅极上面的P区表皮,当Ugs超出Uth（启闭工作的电阻或阀值工作的电阻）时，栅极下P区表皮的电商密度将多于空穴密度，使P型半导体器件反♛型成N型而成为了反型层，该反型层确立N沟道而使PN结看不见，漏极和源极导电。

上述情况经验，半导体材料最大功率元器材之全控型元器材（除IGBT多于---前一遍讲༒过）大体只是以下，通常跟据鸿怡智能数年不一加盟商积累的自制半导体材料工率配件测试软件座socket心得，全部符合，受欢迎同学们一块讨论稿......

应用案例1：

Mosfet电✱功率电子元件需要量芯片封装：DFN5*6，DFN6*8，TO252，TO2🍸20，TO247的芯片封装测式座socket

需注意：平常相应半导体芯片电率元件都可以做电率考试和氧化考试！